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- MOSFET动态
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时间: 2024-06-26 10:01 点击:385
英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这 [阅读全文] -
时间: 2024-05-24 15:03 点击:629
新品 | 适用于 DC-DC 应用的创新紧凑型半桥 MOSFET
AONG36322 XSPairFET 封装尺寸紧凑,实现更高效的高功率系统设计,为空间受限型 DC-DC 降压应用提供了领先的解决方案。日前,集 [阅读全文] -
时间: 2024-05-09 15:45 点击:491
低压MOS在多电平逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体
电平逆变器的应用推荐低压MOS系列,产品稳定,性能可靠,满足恶劣环境工况下使用 [阅读全文] -
时间: 2024-05-09 15:08 点击:558
新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模块的数字驱动评估板
评估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以帮助客户快速启动基于2kV碳化硅MOSFET样机的特性测试。评估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M数字驱动 [阅读全文] -
时间: 2024-05-06 13:40 点击:1154
安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ,针对大电流高功率应用
近年來,工业及消费市场对于系统的要求不断提高,为达到更优秀的效率、可靠性及热性能,MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要 [阅读全文] -
时间: 2024-04-18 14:39 点击:484
低压MOS在光伏优化器(MPPT)上的应用
针对光伏优化器(MPPT)的非隔离DC-DC升压电路,推荐瑞森半导体低压MOS-SGT系列。极低导通电阻,低损耗,高雪崩耐量,高效率,非常适合高频应用。 [阅读全文] -
时间: 2024-03-20 15:31 点击:433
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电
3月19日,英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功 [阅读全文] -
时间: 2024-03-12 14:29 点击:387
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/ OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新 [阅读全文] -
时间: 2024-03-11 14:17 点击:356
东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块
3月6日,东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称东芝)宣布,公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅(SiC)1700 V、 [阅读全文] -
时间: 2024-02-01 14:52 点击:1576
新品 | 12个CoolSiC™ MOSFET新型号-1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B和Easy2B模块
又有一批12个不同型号的EasyPACK和EasyDUAL 1B和2B CoolSiC MOSFET模块上市,他们采用CoolSiC MOSFET增强型1代,适用于电动汽车 [阅读全文]
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