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- MOSFET动态
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时间: 2024-06-26 10:01 点击:419英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这 [阅读全文] -
时间: 2024-05-24 15:03 点击:674新品 | 适用于 DC-DC 应用的创新紧凑型半桥 MOSFET
AONG36322 XSPairFET 封装尺寸紧凑，实现更高效的高功率系统设计，为空间受限型 DC-DC 降压应用提供了领先的解决方案。日前，集 [阅读全文] -
时间: 2024-05-09 15:45 点击:527低压MOS在多电平逆变器上的应用-REASUNOS瑞森半导体
电平逆变器的应用推荐低压MOS系列，产品稳定，性能可靠，满足恶劣环境工况下使用 [阅读全文] -
时间: 2024-05-09 15:08 点击:603新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模块的数字驱动评估板
评估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以帮助客户快速启动基于2kV碳化硅MOSFET样机的特性测试。评估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M数字驱动 [阅读全文] -
时间: 2024-05-06 13:40 点击:1350安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ，针对大电流高功率应用
近年來，工业及消费市场对于系统的要求不断提高，为达到更优秀的效率、可靠性及热性能，MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要 [阅读全文] -
时间: 2024-04-18 14:39 点击:518低压MOS在光伏优化器(MPPT)上的应用
针对光伏优化器(MPPT)的非隔离DC-DC升压电路，推荐瑞森半导体低压MOS-SGT系列。极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率，非常适合高频应用。 [阅读全文] -
时间: 2024-03-20 15:31 点击:461英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电
3月19日，英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功 [阅读全文] -
时间: 2024-03-12 14:29 点击:417英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新 [阅读全文] -
时间: 2024-03-11 14:17 点击:377东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块
3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称东芝）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700 V、 [阅读全文] -
时间: 2024-02-01 14:52 点击:1606新品 | 12个CoolSiC™ MOSFET新型号-1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B和Easy2B模块
又有一批12个不同型号的EasyPACK和EasyDUAL 1B和2B CoolSiC MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC MOSFET增强型1代，适用于电动汽车 [阅读全文]
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